エレキー (Electric Keyer)
私のエレキーの起源は，高校時代，まだDTLからTTLに変わりはじめた頃にCQ誌に発表されたエレキーにあります．原作者のコールサインはもはや思い出せません．
この当時は，まだスクイズキーヤーは発明されておらず，シングルパドルのキーヤーです．このキーヤーの特徴は，メモリー機能が発効するタイミングを遅らせていることです．詳細は忘れてしまいましたが，この考え方には強く影響を受けました．
現用の自作エレキーもメモリーについては非常に凝った動作をします．基本は，Iambic mode Aですが，今出ている短・長点，その前に出ている短・長点の組み合わせによってメモリーの動作が異なります．
市販の製品や，トランシーバーなどに内蔵されている既製品エレキーは，メモリーが現在出ている長・短点のかなり早いタイミングから効いているものが多く（たいていがIambic Mode B），私が使うと，最後に余計な長・短点が出がちです．
逆に，既製品エレキーに慣れている人が私のエレキーを使用すると，最後の長・短点が不足がちになります^^;
Iambic mode A/Bなどを意識しながら，いくつかのキーヤーについて，しばらく「慣れる」ように，練習を試みてみました．しかし，Iambic mode Bと謳っているキーヤーでも，実際に打ってみると特性がかなり違うように感じます．
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→ 修正した回路図
補足
この回路図は，後から目の子で配線を追って書いたため，いくつか間違いがあります．あとで，ちゃんと書き直しますが，とりあえず修正箇所をメモっておきます．
- 右下のトランジスターのコレクターにつながっている，4.7kΩx2は，その後，上が2.7kΩ，下が3.3kΩにしています．PIC 16F84のH入力は，0.48VDDのため，上下同じ値だと，ばらつきなどのためにHにならないことがあります．下の抵抗を大きくしすぎても，発振しなくなります．
- 2SAのトランジスターのエミッターにつながっているVR+RとCでスピードの範囲が決まります．Cが1μFのとき, Rは15kΩ，VRは，直線(Bカーブ)の100～500kΩです．Cが1μFのときに，R+VRが10kΩ前後より小さいと発振しないので，Rを 15kΩとしています．これで，最高速が遅い場合，Cを0.47μFやそれより小さくしないといけません．